此次扩展加入的产品涵盖多种应用—fxcm官网网页版【2026年1月12日,德邦慕尼黑讯】环球功率体系和物联网周围的半导体指导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨正在为汽车和工业电源利用供给超高体系效果和功率密度。该系列现供给Q-DPAK、D2PAK等众种封装，产物组合掩盖正在25°C情状下的楷模导通电阻（RDS(on)）值60 mΩ。
此次扩展参加的产物涵盖众种利用，比方汽车行业的车载充电器和上下压DCDC转换器，以及工业利用中的办事器和电信开闭电源（SMPS）和电动汽车充电底子方法等。其4 mΩ超低导通电阻可支柱对静态开闭本能有特地央浼的利用，比方eFuse、高压电池隔脱节闭、固态断道器和固态继电器等。依据这一领先的本能，计划职员可以拓荒出更高效、更紧凑且更牢靠的体系，以知足各样厉苛的央浼。
CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的焦点性情之一是其更始的顶部散热Q-DPAK封装，该封装可供给极佳的热本能与牢靠性。该封装专为轻松应对高功率利用而拓荒，额外适合思要冲破功率密度和效果极限的计划职员。该技能还具有精彩的RDS(on) x QOSS和精彩的RDS(on) x Qfr，可有用消浸硬开闭和软开闭拓扑组织中的开闭损耗，加倍是正在硬开闭用户案例中具有精彩的效果。
另外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2兼具高阈值电压VGS(th)（25°C情状下楷模值为4.5 V）和超低QGD/QGS比值，巩固了其对寄生导通（PTO）的抗扰性。该系列还具有更壮大的栅极驱动才力，支柱的静态栅极电压和瞬态栅极电压分散可达-7 V和-11 V。这种巩固的耐压性为工程师供给了更大的计划裕量，杀青了与市道上其他器件的高度兼容。
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